EUVリソグラフィ市場規模、シェア、競争環境およびトレンド分析レポート、装置別、エンドユーザー別、地域別、： 2026年から2035年までの機会分析および業界予測

EUVリソグラフィ市場のトレンドと予測

EUVリソグラフィ市場は、2025年の121億6000万米ドルから2035年には250億8000万米ドルに達すると予測されており、2026年から2035年の予測期間にかけて年平均成長率（CAGR）8.28％で成長すると見込まれています。

EUV光（極端紫外線）は、マイクロチップのリソグラフィ用に設計されたもので、マイクロプロセッサ用ウェハーを感光性材料で覆い、慎重に露光を行います。これにより、ウェハー上にパターンが形成され、マイクロチップ設計プロセスの次の工程に活用されます。この技術により、7ナノメートル未満の微細構造を持つチップの製造が可能となり、ムーアの法則の限界を押し広げています。

データセンター、家電製品、人工知能（AI）、ハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）、5Gインフラ、自動車用電子機器などにおける、高度な半導体デバイスへの需要の高まりを背景に、EUVリソグラフィ市場は大幅な成長が見込まれています。より微細なプロセスノード（5 nm、3 nm以下）への急速な移行に伴い、チップメーカーがトランジスタ密度の向上、エネルギー効率の改善、処理性能の向上を追求する中で、EUVリソグラフィの採用が加速しています。

AIアクセラレータ、クラウドコンピューティングインフラ、次世代メモリ技術への投資拡大に伴い、高度なチップ製造ソリューションへの需要はさらに高まっています。さらに、スマートフォン、ウェアラブル端末、ゲーム機、エッジコンピューティング用ハードウェアの生産増加に加え、国内の半導体製造を強化するための政府主導の取り組みや、主要ファウンドリによる継続的な生産能力拡大が相まって、長期的な市場成長が後押しされ、幅広い半導体アプリケーションにおいてEUVリソグラフィの適用範囲が拡大すると予想されます。

主要な市場のハイライト

• EUVリソグラフィ市場は、AI、高性能コンピューティング、5G、自動車用電子機器、次世代民生用デバイスを支える先進的な半導体製造技術への需要増加に牽引され、2025年の121億6000万米ドルから2035年までに250億8000万米ドルへと成長し、2026年から2035年にかけて年平均成長率（CAGR）8.28％で拡大すると予測されています。
• 高NA EUVリソグラフィー、先進光学技術、次世代光源、および高精度フォトマスク技術の進歩により、5nmおよび3nmノードを超える半導体の微細化が加速しており、チップメーカーはより高いトランジスタ密度、電力効率の向上、および演算性能の向上を実現できるようになっています。
• ファウンドリおよびIDM（垂直統合型半導体メーカー）は、先進的なロジック、メモリ、AI用半導体の生産を支えるため、EUV対応の製造設備への投資を拡大しています。北米およびアジア太平洋地域における半導体製造能力の拡大は、予測期間を通じてEUV装置サプライヤーに大きな機会を創出すると見込まれています。

市場ダイナミクス

市場を牽引する要因

半導体デバイスにおける集積回路の複雑化が進み、製品需要を牽引する

集積回路（IC）の複雑化が進むにつれ、より複雑で革新的な設計を備えた半導体製造装置への需要が高まっています。ICが高度化するにつれ、期待される機能や性能を実現するためには、より精緻なリソグラフィ工程が必要となります。この複雑化は、微細化の進展、トランジスタ高密度化への需要、新しいデバイスのアーキテクチャの導入など、さまざまな要因によって推進されています。

EUVリソグラフィは、こうした複雑なICの製造を可能にするため、市場の重要な推進力となっています。EUVリソグラフィ技術は、波長の短い高強度UV光を用いて、チップウェハー上に微細かつ複雑な回路を形成します。EUVリソグラフィは解像度が高く、一部の主要な寸法に対する制御性にも優れているため、チップメーカーが最先端の集積回路設計に不可欠な精度と正確性を実現することを後押ししています。したがって、これらすべての要因が、予測期間中の市場の成長を後押ししています。

市場の制約

EUVリソグラフィシステムの導入コストの高さが、市場の成長を阻害する恐れがある

EUVリソグラフィの実施に伴うコストの高さは、重要な制約要因となっています。この技術では、EUVマスク、光源、フォトレジストなど、専用かつ多機能な装置の使用が不可欠です。EUV装置の現在の価格は、旧式の光学リソグラフィ装置の価格の数倍にも上ります。この価格要因は、EUVリソグラフィ技術を導入するための経済的余裕がない中小の半導体メーカーやファウンドリにとって、障壁となっています。また、この技術では特定の複雑な装置の使用が不可欠であり、これも導入コストの上昇に寄与している。この技術の主要な構成要素には、EUV光源、マスク、フォトレジスト、スキャナーなどが含まれます。これらの構成要素は、製造、開発、保守に多額の費用がかかります。

さらに、フォトマスクを保護するための堅牢なペリクルの必要性や、実験室技術から工業生産へのスケールアップという課題といった技術的な課題も、導入を複雑にしています。しかし、こうした懸念が解消されるにつれ、EUVリソグラフィーは、現代の電子機器を駆動するメモリデバイスや先進的なプロセッサの製造に不可欠なものになりつつあります。したがって、これらすべての要因が、予測期間における市場の成長を阻害しています。

市場機会

データセンターの導入増加が製品需要を押し上げる

製造分野におけるEUVリソグラフィーの発展は、市場にとって大きなチャンスをもたらしています。NANDフラッシュやDRAMなどのメモリデバイスは、スマートフォン、コンピュータ、データセンターなど、さまざまな電子機器において極めて重要な役割を果たしています。メモリ技術の進歩に伴い、大容量かつ高速で、エネルギー効率に優れたメモリソリューションへの需要が高まっています。EUVリソグラフィーは独自の利点を備えており、革新的なメモリデバイスの製造において魅力的な選択肢となっています。したがって、EUVリソグラフィーを活用することで、メモリメーカーは、先進的なメモリ設計に必要なパターン解像度や信頼性を実現するのに苦戦している従来の光学リソグラフィーの制約を克服することができます。したがって、これらすべての要因が、予測期間における市場の成長を後押ししています。

市場セグメンテーションの洞察

装置別

2025年、診断セグメントは、収益面でEUVリソグラフィ市場を独占しました。このセグメントの成長は、半導体業界がより小型で高性能なチップの生産を推進するにつれて、需要が著しいペースで拡大していることに起因しています。この需要は、次世代半導体装置にとって重要な、シリコン系ウェーハ上に10ナノメートル未満の微細なパターンを形成する上で、EUVリソグラフィーが果たす重要な役割によるものです。光源技術における革新の進展、主要な半導体チップメーカーによる多額の投資、技術開発を促進するためのメーカー間の連携、そして大規模な半導体研究開発（R&D）を推進するための政府からの支援の拡大が、市場におけるこのセグメントの成長を牽引する主な要因となっています。

しかし、マスクセグメントは、予測期間中に市場を独占すると予想されています。この成長は、革新的な半導体デバイスに対する高い需要に起因しています。EUVリソグラフィーにより7ナノメートル以下の半導体の製造が可能になったことで、マスクの製造における精度と複雑さは著しく高まっています。マスク（フォトマスク）は、回路の輪郭をチップウェハーに転写する上で極めて重要な役割を果たしており、このプロセスの精度は最終製品の歩留まりと性能に直接影響を与えます。したがって、これらすべての要因が、予測期間中の市場におけるこのセグメントの成長を後押ししています。

エンドユーザー別

2025年、統合デバイスメーカー（IDM）セグメントは、収益面で市場を独占しました。このセグメントの成長は、半導体製品の製造、設計、販売を手掛けるIDM企業が、チップの消費電力、性能、面積（PPA）の限界を克服するために、EUVリソグラフィーを徐々に導入していることに起因しています。この導入は、モバイル、コンピューティング、IoT、自動車など、さまざまな用途において、より高度な電子デバイスへの需要が高まっていることに後押しされています。さらに、シリコンウェハー上に極めて微細な構造を形成できるEUVリソグラフィーは、次世代半導体デバイスの製造に不可欠です。したがって、これらすべての要因が、市場におけるこのセグメントの成長を阻害しています。

しかし、ファウンドリセグメントは、予測期間中に市場を独占すると見込まれています。このセグメントの成長は、半導体製造の変革において重要な役割を果たしていることに起因しています。チップ製造業界が、より小型化、高性能化、省エネ化に向けた取り組みを継続する中、ファウンドリ各社は、こうした複雑な技術的要件に対応するため、極端紫外線（EUV）リソグラフィ技術への依存度を徐々に高めています。シリコン系ウェハー上に極めて微細な構造を形成できることで知られるEUVリソグラフィ技術は、人工知能、スマートフォン、高性能コンピューティング、自動車など、さまざまな用途に必要な最先端半導体の製造に不可欠です。したがって、これらすべての要因が、予測期間中の市場におけるこのセグメントの成長を後押ししています。

地域別分析

2025年、北アメリカは、収益面でEUVリソグラフィ市場を独占しました。この成長は、同地域の強固な半導体エコシステム、先端チップ製造への多額の投資、そして主要なテクノロジー企業や研究機関の強力な存在感に起因します。同地域は、インテル、マイクロン・テクノロジー、グローバルファウンドリーズ、テキサス・インスツルメンツといった大手半導体メーカーの事業展開に加え、設備サプライヤーや電子設計自動化（EDA）企業の確立されたネットワークの恩恵を受けています。ASMLはオランダに本社を置いていますが、研究開発センターや顧客サポート体制、主要チップメーカーとの緊密な連携など、アメリカにおける同社の大きな存在感は、同地域全体でのEUVリソグラフィーの普及を推進する上で極めて重要な役割を果たしています。

さらに、「米国CHIPS・科学法」などの政府主導の取り組みにより、国内の半導体製造能力が加速しており、5nm、3nm、そして将来の2nm未満のプロセスノードでチップを生産可能な最先端の製造施設への数十億ドル規模の投資が促進されています。人工知能（AI）、高性能コンピューティング（HPC）、クラウドデータセンター、自動運転車、防衛用電子機器の急速な成長が、最先端半導体の需要をさらに後押ししています。したがって、これらすべての要因が、この地域の市場の成長を促進しました。

最近の動向

• 2025年、ASMLは3台目となる高NA EUVリソグラフィ装置の出荷を発表し、インテル、TSMC、サムスン、マイクロンといった主要顧客から10～20台の受注残を抱えています。各装置の価格は約3億5000万ユーロです。高NA EUV装置の生産拡大は、次世代チップ製造に向けた市場の強力なシフトを示唆しています。しかし、高コストのため、導入はトップクラスのファブに限定され、業界大手企業に集中する可能性があります。
• 2025年、中国の研究者らは、レーザー誘起プラズマを利用した国産EUVスキャナーの開発において著しい進展を報告し、2025年第3四半期のパイロット生産、2026年の量産を目指しています。これが実現すれば、ASMLの独占体制を打破し、世界的な競争構造を一新するとともに、アジアにおけるEUV装置へのアクセスに関する地政学的圧力を緩和する可能性があります。
• 2024年、ASMLとベルギーのimecは、フェルトホーフェンに世界初のHigh-NA EUV研究ラボを開設しました。この施設にはTWINSCAN EXE:5000が設置されており、将来の2nm以下のノードに向けた早期プロセス開発が可能となります。このラボはHigh-NA EUVに向けたエコシステムの整備を加速させ、チップメーカーに早期のテスト機会を提供するとともに、商用化の展開を早めるものです。

主要企業のリスト：

• ASML Holding NV
• NTT Advanced Technology Corporation
• Canon Inc
• Nikon Corporation
• Intel Corporation
• Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
• Samsung Electronics Co. Ltd
• Toppan Photomasks Inc
• ZEISS Group
• Ushio, Inc.
• その他の主要なプレイヤー

セグメンテーションの概要

装置別

• 光源
• 光学系
• マスク
• その他

エンドユーザー別

• 統合デバイスメーカー
• ファウンドリ

地域別

北アメリカ

• アメリカ
• カナダ
• メキシコ

ヨーロッパ

• 西ヨーロッパ
• イギリス
• ドイツ
• フランス
• イタリア
• スペイン
• その地の西ヨーロッパ
• 東ヨーロッパ
• ポーランド
• ロシア
• その地の東ヨーロッパ

アジア太平洋

• 中国
• インド
• 日本
• オーストラリアおよびニュージーランド
• 韓国
• ASEAN
• その他のアジア太平洋

中東・アフリカ（MEA）

• サウジアラビア
• 南アフリカ
• UAE
• その他のMEA

南アメリカ

• アルゼンチン
• ブラジル
• その他の南アメリカ